Optický izolátor necitlivý na polarizáciu Výrobcovia

Vysokovýkonný zosilňovač C-band 1W 30dBm Erbium Doped Fiber Amplifier EYDFA (EYDFA-HP) je založený na technológii dvojitého plášťa erbiom dopovaného vlákna zosilňovača, využíva jedinečný proces optického balenia, spojený so spoľahlivým dizajnom ochrany vysokovýkonného lasera, na dosiahnutie vysokovýkonného laserového výstupu v rozsahu vlnových dĺžok 1540 ~ 1565 nm. Vďaka vysokému výkonu a nízkej hlučnosti je možné ho použiť v komunikácii z optických vlákien, Lidar atď.

Laserová dióda DFB TO-CAN 1653,7nm 13mW pre snímanie CH4 poskytuje spoľahlivú, stabilnú vlnovú dĺžku a vysoký výkon, s kolimačným objektívom. Tento laser s jedným pozdĺžnym režimom je navrhnutý špeciálne pre aplikácie snímania plynu zamerané na metán (CH4). Výstup s úzkou šírkou linky zlepšuje výkon aplikácie v širokom rozsahu prevádzkových podmienok.

1610nm koaxiálny SM Pigtailed Diode Laser pozostáva z DFB laserov, ktoré majú vláknový pigtail presne pripojený pre optimálnu účinnosť spojenia. Táto verzia so strednou vlnovou dĺžkou 1590 nm má typický výstupný výkon 1,5 mW a obsahuje zadnú fazetovú fotodiódu. 9/125 singlemode vláknový pigtail je zakončený optickým konektorom v štýle FC/APC alebo FC/PC. Aplikácie zahŕňajú vysokorýchlostné dátové a telekomunikačné systémy a prístrojové vybavenie a optické prístroje vyžadujúce zdroj svetla s laserovou diódou.

DWDM 10mW DFB Butterfly Laser Diode je vysoko výkonná DFB laserová dióda. Stredové vlnové dĺžky sú na mriežke vlnových dĺžok DWDM (mriežka ITU) s odstupom kanálov 100 GHz. Laserový čip InGaAs MQW (multi-quantum well) DFB (distribuovaná spätná väzba) je hermeticky uzavretý vo vnútri 14-kolíkového motýlika, vybaveného termistorom, termoelektrickým chladičom (TEC), fotodiódou monitora a vstavaným optickým izolátorom. Tento laserový modul má prenosovú rýchlosť priamej modulácie 2,5 Gbps. Tento produkt je možné použiť v rôznych systémoch OC-48 alebo STM-16.

3GHz vysokorýchlostný modul fotodetektora InGaAs má šírku pásma fotoelektrickej odozvy ¥ 3 GHz, čas nábehu impulzu 125ps a rozsah vlnových dĺžok 1020~1650nm. Rozhranie SMA sa používa pre výstup RF signálu, ktorý sa spája s RF testovacím zariadením. pre optický prenosový systém, ultrarýchla detekcia laserových impulzov.

915nm 12W čip na Submount COS laserovej dióde, využívajúci väzbu AuSn a balík P Down s viacerými výhodami vysokej spoľahlivosti, stabilného výstupného výkonu, vysokého výkonu, vysokej účinnosti, dlhej životnosti a vysokej kompatibility a je na trhu široko používaný.